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半导体epi工艺
"相关结果约1,000,000个半导体制造中的外延(epi)工艺旨在在单晶衬底上沉积一层精细的单晶层,通常约为0.5至20微米.半导体制造中的外延工艺综述 它是什么 半导体制造中的外延(epi)工艺允许在晶体衬...
www.so.com/link?m=wONMdyZ42cQequpeR82DskHdDCTAKQP9...2026年1月6日 - 工艺类型 温度范围(℃) 适用衬底 代表应用 CVD硅外延 900-1200 硅晶圆 CMOS芯片 MBE碳化硅 1500-1800 SiC晶圆 车用IGBT 二、产业应用与先进发展.- 台...
www.so.com/link?m=wFWBMjQu3eUrdx2e456pSx5eaIE2y0Wz...2025年8月9日 - 半导体EPI,即外延生长(Epitaxial Growth),是半导体制造中一个重要的工艺步骤.它通过将半导体材料蒸发或溅射在单晶衬底表面,使其在衬底上生长形成具有...
www.so.com/link?m=edrooFjBNrA6W36w8b%2B9BsYnWDyNc7...半导体epi工艺在半导体产业中具有广泛的.半导体epߑ�ߏ�ߦ�i工艺是一种在晶体生长过程ߒ�ߏ�中外延生长新的半导体...
www.so.com/link?m=wP%2FBtv4%2B1vlawdBKiCxj1BMOuJUP...