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半导体sti工艺
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2021年1月15日 - 详情 半导体技术2012年11期.在LDMOS功率器件设计中可以引入STI工艺替代LOCOS工艺来进一步抑制表面电荷效应,以提高LDOMS功率器件的耐压强度及降低比导...
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2017年9月22日 - STI技术工艺步骤:首先,类似LOCOS,依次生长SiO2淀积Si3N4涂敷光刻胶,光刻去掉场区的SiO2和Si3N4.其次,利用离子刻蚀在场区形成浅的沟槽.然后,进行场区注...
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